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A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMHC3A01N8
30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge
Summary
Device
V (BR)DSS
Q G
R DS(on)
I D
T A = 25 ° C
125m ? @ V GS = 10V
2.7A
N-CH
P-CH
30V
-30V
3.9nC
5.2nC
180m ? @ V GS = 4.5V
210m ? @ V GS = -10V
2.2A
-2.1A
330m ? @ V GS = -4.5V
Description
This new generation complementary MOSFET H-Bridge
-1.6A
P1S/P2S
features low on-resistance achievable with low gate drive.
Features
P1G
P2G
?
2 x N + 2 x P channels in a SOIC package
P1D/N1D
P2D/N2D
Applications
?
?
DC Motor control
DC-AC Inverters
N1G
N2G
N1S/N2S
Ordering information
Device
ZXMHC3A01N8TC
Reel size
(inches)
13
Tape width
(mm)
12
Quantity
per reel
2,500
Device marking
ZXMHC
3A01
Issue 1.0 - March 2009
? Diodes Incorporated
1
www.diodes.com
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